igbt模块 igbt模块的作用是什么

IGBTInsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机变频器开关电源照明电路牵引传动等领域 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极N+ 区称为。

IGBT模块是Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET回答。

IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点IGBT的开关。

IGBT模块根据控制器主板的指令，请输入的高压直流电流逆变成，频率可调的三相交流电流供给配套的驱动电机使用在能量回收过程中，对三项交流电进行整流，同时检测直流母线电压驱动电机电流以及IGBT模块温度，并将检测信号反馈给mcu。

IGBT工作原理IGBT的等效电路如图1所示由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止。

1根据IGBT模块生产厂家提供的规格书里的参数测量对比，一般官网搜索型号或者出厂PDF资料里可以找到相关参数，如栅极电流重量等测试工具指针万用表电容表放大镜电子秤 测试项目a用指针万用表10K档测量是否。

IGBT什么是 IGBTIGBTInsulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的。

一死区变窄死区的宽窄主要取决于IGBT管的关断时间影响判断时间的主要因素有1环境温度环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通这就是在夏天，模块。

简单方法检测igbt模块的好坏 l 判断极性首先将万用表拨在 r×1k 挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极g 其余两极再用万用表。

测量igbt模块以识别它的好坏1判断极性 首先将万用表拨在r×1kω挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极g其余两极再用万用表测量。

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1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间这种器件表现为一个类晶闸管的结构PNPN四层组成，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS双扩散形成。

兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点， 适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机变频器开关电源照明电路牵引传动等领域其中，安森美半导体在IGBT模块领域是数一数二的。

IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化又因先进的加工技术使它。

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